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2N6387
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2N6387

  • 描述:晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 2 W 供应商设备包装: TO-220
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 268

  • 库存: 1679
  • 单价: ¥8.11205
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,174.03
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 特征频率 -
  • 安装类别 通孔
  • 晶体管类别 NPN-达林顿
  • 最大功率 2 W
  • 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 最大集电极电流 (Ic) 10A
  • 部件状态 过时的
  • 集电极击穿电压 60 V
  • 包装/外壳 至220-3
  • 供应商设备包装 TO-220
  • 集电极最大截止电流 1毫安
  • 最小直流增益 1000@5A，3V
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 3V @ 100毫安, 10A

2N6387 产品详情

Power 8A 80 V NPN达林顿双极功率晶体管专为通用放大器和低速开关应用而设计。

特色

  • 高直流电流增益-hFE=2500（典型值）@Ic=4.0 Adc
  • 集电极-发射极维持电压-@100 mAdcVceo（sus）=60 Vdc（最小值）-2N6387Vceo（sus）=80 Vdc（最小）-2N 6388
  • 集电极-发射极维持电压-@100 mAdcVceo（sus）=60 Vdc（最小值）-2N6387Vceo（sus）=80 Vdc（最小）-2N 6388
  • 低集电极-发射极饱和电压Vce（sat）=2.0 Vdc（最大值）@Ic=5.0 Adc
  • 带有内置基极-发射极分流电阻器的单片结构
  • T0-220AB紧凑型封装
  • 环氧树脂符合UL94，VO@1/8英寸
  • ESD额定值机器型号C和人体型号3B
  • 提供无铅包装


（图片：引出线）

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器件图
型号
制造商
描述
价格
2N60582N6058中央半导体 (Central)2N6058¥44.32655
2N6403TG2N6403TG安盛美 (onsemi)2N6403TG¥7.31533
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2N6075AG2N6075AG安盛美 (onsemi)SENSITIVE GATE TRIACS¥2.10044
2N6292G2N6292G安盛美 (onsemi)晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 7 A 集电极击穿电压: 70 V 最大功率: 40瓦 特征频率: 4MHz 供应商设备包装: TO-220¥9.34334
2N6488G2N6488G安盛美 (onsemi)晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 15A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 1.8瓦 特征频率: 5MHz 供应商设备包装: TO-220¥9.34334
2N60G2N60G广东友台半导体 (UMW)暂无¥0.74821
2N65L2N65L广东友台半导体 (UMW)暂无¥0.86971
2N60L2N60L广东友台半导体 (UMW)暂无¥0.84727
2N6387所属分类：分立双极结型晶体管，2N6387 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N6387价格参考￥8.112048，你可以下载 2N6387中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N6387规格参数、现货库存、封装信息等信息！

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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