特色
- 采用FBET、MBIT流程
- 低集电极到发射极饱和电压
- 高允许功耗
- 高电流电容
- 高速切换
- 无卤合规性
- IECO保证防止从集电极到发射极的反向流动
应用
- 大功率IGBT/MOSFET栅极驱动器
- DC-DC转换器
- 灯驱动器
- 电机驱动器
起订量: 1
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