9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MMBTA20LT1，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MMBTA20LT1参考价格$0.02000。onsemi MMBTA20LT1包装/规格：TRANS NPN 40V 0.1A SOT-23。您可以下载MMBTA20LT1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMBTA14LT1G是TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23，包括MMBTA11L系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为225mW，该设备具有晶体管型NPN-达林顿晶体管，集电器Ic最大值为300mA，集电器-发射极击穿最大值为30V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为20000@100mA，5V，Vce饱和最大Ib Ic为1.5V@100μa，100mA，集电器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为125MHz，Pd功耗为225mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为30 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为30 V、发射极基极电压VEBO为10 V，且最大DC集电极电流为0.3A，且连续集电极电流是0.3A，并且DC集电极基极增益hfe Min是10000，且最大集电极截止电流是0.1uA。
MMBTA14-TP是TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23，包括30V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在100μa、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.007090 oz，提供晶体管类型功能，如NPN-达林顿，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及SOT-23供应商设备包，该设备也可以用作MMBTA14系列。此外，最大功率为225mW，该设备采用Digi-ReelR替代包装包装，该设备具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为0.3 a，最大集电极截止电流为0.1uA，频率转换为125MHz，发射极基极电压VEBO为10V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为20000@150mA，1V，直流集电极基极增益hFE Min为5000，集电极Ic Max为300mA，集电极截止最大值为100nA（ICBO），配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为30V，集电极-基极电压VCBO为30V。
MMBTA14-RTK/P，电路图由KEC制造。MMBTA14-RTK/P在SOT23封装中提供，是IC芯片的一部分。
MMBTA18，带有FSC制造的EDA/CAD模型。MMBTA18采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
