9icnet为您提供由onsemi设计和生产的MJE271，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MJE271参考价格为0.212美元。onsemi MJE271包装/规格：TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225。您可以下载MJE271英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MJE270G是TRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA，包括MJE270系列，设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-225AA、to-126-3等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及to-225AB供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为1.5W，该器件采用NPN-达林顿晶体管类型，该器件具有2A的电流收集器Ic最大值，电压收集器-发射器击穿最大值为100V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为1500@120mA、10V，Vce饱和最大值Ib Ic为3V@1.2mA、120mA，电流收集器截止最大值为1mA，频率转换为6MHz，Pd功耗为15W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为100 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为2 V，集电极基极电压VCBO为100 V、发射极基极电压VEBO为5 V，并且最大DC集电极电流为2A，并且增益带宽乘积fT为6MHz，并且连续集电极电流是5A，并且DC集电极基本增益hfe Min为500。
MJE253G是TRANS PNP 100V 4A TO225AA，包括100V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在600mV@100mA、1A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于PNP，提供晶体管极性功能，如PNP，供应商设备包设计为在to-225AA以及MJE253系列中工作，该设备也可以用作1.5W最大功率。此外，Pd功耗为15W，该设备采用散装包装，该设备具有TO-225AA、TO-126-3封装盒，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-65℃，最高工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为4A，增益带宽积fT为40MHz，频率转换为40MHz；发射极基极电压VEBO为7V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为40@200mA，1V，直流集电极基极增益hFE Min为40，集电极Ic Max为4A，集电极截止电流最大值为100nA（ICBO），并且所述配置为单，并且集电极-发射极电压VCEO Max为100V，并且集极-发射极饱和电压为0.6V，集电极基极电压VCBO为100V。
MJE270是ON制造的TRANS NPN DARL 100V 2A TO225AA。MJE270采用TO-225AA、TO-126-3封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分，并支持TRANS NPN-DARL 100V-2A TO225AA、双极（BJT，双极）晶体管NPN-达林顿100V 2A 6MHz 1.5W通孔TO-225AA。
