9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N4405，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N4405参考价格为0.386美元。Microchip Technology 2N4405包装/规格：TRANS PNP TO-39。您可以下载2N4405英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N4403TF是TRANS PNP 40V 0.6A TO-92，包括切割胶带（CT）替代包装包装，其设计用于0.008466 oz单位重量的包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成型引线）等包装箱功能，安装类型设计用于通孔，以及TO-92-3供应商设备包，该设备也可作为单一配置使用。此外，功率最大值为625mW，该器件为PNP晶体管型，该器件具有600mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器发射极击穿最大值为40V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@150mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为750mV@50mA，500mA，频率转换为200MHz，Pd功耗为625 mW，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，集电极-发射极电压VCEO Max为40 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为0.75 V，集电极基极电压VCBO为40 V、发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为0.6 A，且增益带宽乘积fT为200MHz，且连续集电极电流为0.6A，且DC集电极基本增益hfe Min为100，且DC电流增益hfe Max为300。
2N4403TFR是TRANS PNP 40V 0.6A TO-92，包括40V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在750mV@50mA、500mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.008466 oz，提供PNP等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在PNP中工作，以及TO-92-3供应商设备包，该设备也可以用作625mW最大功率。此外，Pd功耗为625mW，该设备采用切割胶带（CT）替代包装包装，该设备具有TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成型引线）封装盒，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，最大直流集电极电流为0.6 A，增益带宽积fT为200 MHz，频率转换为200MHz，发射极基极电压VEBO为5 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为100@150 mA，2V，直流电流增益hFE Max为300，直流集电极基极增益hFE Min为100，且集电极Ic Max为600mA，且连续集电极电流为0.6A，且配置为单，且集电极-发射极电压VCEO Max为40V，且集极-发射极饱和电压为0.75V，且集极基极电压VCBO为40V。
2N4403TAR是双极型晶体管-BJT PNP晶体管通用型，包括40 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在0.75 V集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-射极电压VCEO Max显示在数据表注释中，用于40 V，提供配置功能，如单、连续集电极电流设计为工作在0.6 a，除了100 DC集电极基极增益hfe Min，该器件还可以用作300 DC电流增益hfe Max。此外，发射极基极电压VEBO为5 V，该器件提供200 MHz增益带宽乘积fT，该器件的最大DC集电极电流为0.6 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为通孔，封装外壳为TO-92-3弯铅，封装为弹药包，Pd功耗为625 mW，晶体管极性为PNP，单位重量为0.008466盎司。
