特色
- 采用FBET、MBIT流程
- 大电流容量
- 低集电极到发射极饱和电压
- 高速切换
- 高允许功耗
2SC6098-TL-E
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 2.5 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 800 mW 特征频率: 350MHz 供应商设备包装: TP-FA
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 950
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 950+ | 2.31772 | 2201.84160 |
- 库存: 13714
- 单价: ¥2.31773
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,201.84
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 80 V
- 集电极最大截止电流 1.A（ICBO）
- 最大集电极电流 (Ic) 2.5 A
- 最大功率 800 mW
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 供应商设备包装 TP-FA
- 最小直流增益 300 @ 100毫安, 5V
- 特征频率 350MHz
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 165mV@50毫安，1A
2SC6098-TL-E 产品详情
2SC6098-TL-E是双极晶体管，80V，2.5A，低VCE（sat），NPN单TP/TP-FA，用于高压开关应用。
2SC6098-TL-E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SC5231C9-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SC5231 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA | ¥1.20522 |
| 2SC4901YK-TR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4731 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR | ¥3.58712 |
| 2SC3380ASTR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC3380ASTR - SILICON NPN TRIPLE | ¥2.20329 |
 | 2SC2619FCTL-E | 瑞萨电子 (Renesas) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | ¥1.08644 |
 | 2SC5300 | 安盛美 (onsemi) | POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN | ¥33.17248 |
| 2SCR513RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥4.63546 |
| 2SCR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.14246 |
| 2SC4942-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-T1-AZ - NPN SILICON TRIP | ¥8.37185 |
| 2SC4942-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-AZ - NPN SILICON TRIPLE | ¥8.37185 |
 | 2SCR522EBTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.23129 |
2SC6098-TL-E所属分类：分立双极结型晶体管，2SC6098-TL-E 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SC6098-TL-E价格参考￥2.317728，你可以下载 2SC6098-TL-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SC6098-TL-E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
