9icnet为您提供由onsemi设计和生产的BD239TU，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BD239TU价格参考$0.028。onsemi BD239TU包装/规格：TRANS NPN 45V 2A TO-220。您可以下载BD239TU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BD239C是TRANS NPN 100V 2A TO-220，包括500V晶体管系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式特征，封装盒设计用于TO-220-3，以及单配置，该设备也可用于30000 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为100 V，晶体管极性为NPN，集电极-发射器饱和电压为0.7 V，集电极基极电压VCBO为115 V，发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为2A，且连续集电极电流为2A，且DC集电极基极增益hfe Min为40，且DC电流增益hfe Max为40。
BD239CTU是双极晶体管-BJT NPN外延硅，包括0.063493盎司的单位重量，它们设计为与NPN晶体管极性一起工作，Pd功耗如数据表注释所示，用于30W，提供管等封装功能，封装盒设计为在to-220-3中工作，以及通孔安装样式，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该设备的最大直流集电极电流为2 A，该设备具有5 V的发射极基极电压VEBO，直流集电极基极增益hfe最小值为15，连续集电极电流是2 A，配置为单，集电极-发射极电压VCEO最大值为100 V，集电极-发射极饱和电压为700mV。
带有ON制造的电路图的BD239G。BD239G采用TO126封装，是IC芯片的一部分。
