9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTN2010ASTZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTN2010ASTZ参考价格为0.95000美元。Diodes Incorporated ZXTN2010ASTZ包装/规格：TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3。您可以下载ZXTN2010ASTZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXTN2007GTA是TRANS NPN 30V 7A SOT223，包括ZXTN200系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为3W，该设备具有晶体管型NPN，集电极Ic最大值为7A，集电极-发射极击穿最大值为30V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@1A，1V，Vce饱和最大值Ib Ic为220mV@300mA，6.5A，集电极截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为140MHz，Pd功耗为3W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为30 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为80 V，发射极基极电压VEBO为7 V，最大直流集电极电流为7 A，增益带宽乘积fT为140MHz，连续集电极电流为7A，直流集电极基本增益hfe Min为100，在10mA时为1 V 100，在1A时为1 100，在7A时为1V 20，在20V时为1 A，直流电流增益hfe Max为100。
ZXTN2007ZTA是TRANS NPN 30V 6A SOT89，包括30V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在190mV@300mA、6.5A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.001834 oz的晶体管，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计用于NPN，以及SOT-89-3供应商设备包，该设备也可以用作ZXTN2007系列。此外，最大功率为2.1W，该器件提供2100 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-243AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大DC集电极电流为6A，增益带宽积fT为140MHz，频率转换为140MHz；发射极基极电压VEBO为7V，DC电流增益hFE Min Ic Vce为100@1A，1V，且DC电流增益h FE Max为100，且DC集电极基极增益hFE Min为100，在1mA时为10mA，在1V时为100，且集电极Ic Max为6A，且集电极截止最大值为50nA（ICBO），且连续集电极电流为6A，并且配置为单集电极，且集极-发射极电压VCEO Max为30V，以及集电极基极电压VCBO为80V。
ZXTN2010A是TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3，包括150 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在60 V集电极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供连续集电极电流功能，如4.5 a，直流集电极基极增益hfe Min设计为在10 mA时在1 V 100时在2 A下在1 V 55时在5 A下在10 V 20时在1 A下在100下工作，以及在1 V直流电流增益hfe Max时在10 mA下工作，该器件也可以用作7 V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为130 MHz，该设备的最大直流集电极电流为4.5 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式为通孔，包装盒为E线，包装为卷筒，Pd功耗为1 W，系列为ZXTN20，晶体管极性为NPN。
