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NJV4030PT1G是双极晶体管-BJT PNP SOT223 BIP PWR TRAN，包括NJT4030P系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006632盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-223-4，以及Si技术，该设备也可以用作单一配置。此外，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为40 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为0.5 V，集电极基极电压VCBO为40 V、发射极基极电压VEBO为6 V，并且最大DC集电极电流为5A，增益带宽乘积fT为160MHz，并且DC集电极基极增益hfe Min在1A和1V时为200，DC电流增益hfe Max在1A和10V时为400。
NJV4031NT1G是双极晶体管-BJT NPN 40V LO SAT SOT223 BP，包括NPN晶体管极性，它们设计为与NJT4031N系列一起工作，包装如数据表注释所示，用于卷筒。
NJV4030PT3G带有电路图，包括卷筒包装，它们设计用于NJT4030P系列。
NJV4031NT3G带有EDA/CAD型号，包括卷筒包装，设计用于NJT4031N系列。
