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MJE200TSTU
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MJE200TSTU

  • 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 15瓦 特征频率: 65MHz 供应商设备包装: TO-126-3
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥1.99904
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.00
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 晶体管类别 NPN
  • 集电极最大截止电流 100nA(ICBO)
  • 安装类别 通孔
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 集电极击穿电压 25伏
  • 特征频率 65MHz
  • 最大集电极电流 (Ic) 5 A
  • 包装/外壳 至225AA,至126-3
  • 最大功率 15瓦
  • 供应商设备包装 TO-126-3
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 1.8V@1A,5A
  • 最小直流增益 45 @ 2A, 1V

MJE200TSTU 产品详情

双极功率晶体管设计用于低电压、低功率和高增益音频放大器应用。MJE200TSTU(NPN)和MJE210(PNP)是互补设备。

特色

  • 集电极-发射极维持电压-VCEO(sus)=25 Vdc(最小值)@IC=10 mAdc
  • 高直流电流增益-hFE=70(最小)@IC=500 mAdc hFE=45(最小)@IC=2.0 AdchFE=10(最小)@1C=5.0 Adc
  • 低集电极-发射极饱和电压-VCE(sat)=0.3 Vdc(最大值)@IC=500 mAdc VCE(sat)=0.75 Vdc(最大)@IC=2.0 Adc
  • 高电流增益-带宽乘积-fT=65 MHz(最小)@IC=100 mAdc
  • 低泄漏环形结构——ICBO=100 nAc@额定VCB
  • 提供无铅包装


(图片:引出线)

MJE200TSTU所属分类:分立双极结型晶体管,MJE200TSTU 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MJE200TSTU价格参考¥1.999040,你可以下载 MJE200TSTU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MJE200TSTU规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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