9icnet为您提供由onsemi设计和生产的BC847CTT1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BC847TT1参考价格为0.238美元。onsemi BC847TT1包装/规格:TRANS NPN 45V 0.1A SC75-3。您可以下载BC847CTT1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BC847CT-7-F是TRANS NPN 45V 0.1A SOT-523,包括BC847C系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.000071盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于SOT-523,以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SOT-523供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备的最大功率为150mW,该设备具有晶体管型NPN,集电极Ic最大值为100mA,集电极-发射极击穿最大值为45V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为420@2mA,5V,Vce饱和最大值Ib Ic为600mV@5mA,100mA,且集电极截止最大值为15nA(ICBO),频率转换为100MHz,Pd功耗为150mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为45 V,晶体管极性为NPN,集电极/发射极饱和电压为600 mV,集电极基极电压VCBO为50 V,且发射极基极电压VEBO为6V,且最大DC集电极电流为0.1A,且增益带宽乘积fT为100MHz,且连续集电极电流是0.1A,并且DC集电极基极增益hfe Min为420,且DC电流增益hfe Max为800,在5V时为2mA。
BC847CT116是双极晶体管-BJT NPN 45V 1MA,包括NPN晶体管极性,它们设计为在0.35 W Pd功耗下工作,包装如数据表说明所示,用于卷筒,提供封装外壳功能,如SST-3,安装类型设计为在SMD/SMT中工作,其最低工作温度范围为-55 C,它的最大工作温度范围为+150℃。此外,最大直流集电极电流为0.1 A,该器件以200 MHz增益带宽乘积fT提供,该器件具有6 V的发射极基极电压VEBO,直流电流增益hFE Max为800,直流集电极基极增益hFE Min为420,连续集电极电流是0.1 A,并且配置为单一,集电极-发射极电压VCEO Max为45V,集电极-发射器饱和电压为0.6V,集极基极电压VCBO为50V。
BC847C-TP是双极型晶体管-BJT 100mA 45V,包括50 V集电极基极电压VCBO,它们设计为在45 V集电极-发射极电压VCEO Max下工作,配置如数据表说明所示,用于单体,提供直流集电极基基增益hfe Min功能,如420,发射极基极电压VEBO设计为在6 V下工作,除了100MHz增益带宽产品fT之外,该器件还可以用作0.1 A最大直流集电极电流,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,该器件具有安装式SMD/SMT,封装外壳为SOT-23,封装为卷轴式,Pd功耗为225 mW,系列为BC847C,晶体管极性为NPN,单位重量为0.007090盎司。
BC847CT3带有ON制造的EDA/CAD模型。BC847TT3采用SOT-23封装,是IC芯片的一部分。