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BC856AS-7是TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363,包括BC856A系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000212盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SOT-363供应商设备包。此外,该配置为双重配置,该设备的最大功率为200mW,该设备具有晶体管型2 PNP(双重),集电极Ic最大值为100mA,集电极-发射极击穿最大值为65V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为125@2mA,5V,Vce饱和最大值Ib Ic为650mV@5mA,100mA,且集电极截止最大值为15nA,频率转换为100MHz,Pd功耗为200mW,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围是-65 C,集电极-发射极电压VCEO Max为-65 V,晶体管极性为PNP,集电极/发射极饱和电压为-250 mV,集电极基极电压VCBO为80 V,且发射极基极电压VEBO为5V,且最大DC集电极电流为0.1A,且增益带宽乘积fT为100MHz(Min),且DC集电极基极增益hfe Min为125,且DC电流增益hfe Max为250。
BC856A-T是双极晶体管-BJT晶体管PNP,包括0.007090盎司单位重量,它们设计用于PNP晶体管极性,Pd功耗如数据表注释所示,用于250 mW,提供卷轴等封装功能,封装盒设计用于SOT-23,以及SMD/SMT安装样式,它的最大工作温度范围为+150℃。此外,最大直流集电极电流为0.1 A,该器件以100 MHz增益带宽乘积fT提供,该器件具有5 V的发射极基极电压VEBO,直流电流增益hFE Max为250,直流集电极基极增益hFE Min为125,配置为单一,集电极-发射极电压VCEO Max为65 V,集电极-发射极饱和电压为0.65V,集电极-基极电压VCBO为80V。
BC856AT,带有NXP制造的电路图。BC856AT在SOT523封装中提供,是晶体管(BJT)-单体的一部分。