包装：TO-220ML型
特征
1.采用MBIT流程。
2.大电流电容。
3.低集电极到发射极饱和电压。
4.高速切换。
应用
1.继电器驱动器、灯驱动器、电机驱动器
绝对最大额定值
1.集电极至基极电压：VCBO=60 V
2.集电极至发射极电压：VCEO=50 V
3.发射极至基极电压：VEBO=6 V
4.集电极电流：IC=10A
5.集电极电流（脉冲）：ICP=13 A
6.基极电流：IB=2A
7.集电器耗散：PC=2 W
2SC5888
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 2 W 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: TO-220ML
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 0
- 单价: ¥4.41817
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.42
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 晶体管类别 NPN
- 安装类别 通孔
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 50 V
- 最大功率 2 W
- 最大集电极电流 (Ic) 10A
- 部件状态 过时的
- 特征频率 200MHz
- 集电极最大截止电流 10A（ICBO）
- 最小直流增益 200@1A，2V
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 供应商设备包装 TO-220ML
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 360mV @ 250毫安, 5A
2SC5888 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| 2SCR513RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥4.63546 |
| 2SCR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.14246 |
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| 2SC4942-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-AZ - NPN SILICON TRIPLE | ¥8.37185 |
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2SC5888所属分类：分立双极结型晶体管，2SC5888 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SC5888价格参考￥4.418169，你可以下载 2SC5888中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SC5888规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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