9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的FZT658TC,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FZT658TC参考价格为1.468美元。Diodes Incorporated FZT658TC包装/规格:TRANS NPN 400V 0.5A SOT223。您可以下载FZT658TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FZT658TA是TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223,包括FZT658系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000282盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供2W功率最大值,该设备具有晶体管型NPN,集电器Ic最大值为500mA,集电器-发射极击穿最大值为400V,直流电流增益hFE最小Ic Vce在200mA、10V时为40,Vce饱和最大值Ib Ic在10mA、100mA时为500mV,集电器截止最大值为100nA(ICBO),频率转换为50MHz,Pd功耗为2W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为400 V,晶体管极性为NPN,集电极/发射极饱和电压为0.5 V,集电极基极电压VCBO为400 V,且发射极基极电压VEBO为5V,且最大DC集电极电流为0.5A,且增益带宽乘积fT为50MHz,且连续集电极电流是0.5A,并且DC集电极基极增益hfe Min在5mA时为50,在5V时为50;在100mA时为100;在200mA时为10,且DC电流增益hfe Max为50。
FZT657TA是TRANS NPN 300V 0.5A SOT-223,包括300V集电极-发射极击穿最大值,设计用于在500mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.000282 oz,提供NPN等晶体管类型功能,晶体管极性设计用于NPN,以及SOT-223供应商设备包,该设备也可以用作FZT657系列。此外,功率最大值为2W,该设备提供2 W Pd功耗,该设备具有切割胶带(CT)交替包装,包装箱为TO-261-4、TO-261AA,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,最低工作温度范围为-55 C,最高工作温度范围+150 C,最大直流集电极电流为0.5A,增益带宽积fT为30MHz,频率转换为30MHz;发射极基极电压VEBO为5V,直流电流增益hFE Min Ic Vce为50@100mA,5V,直流电压增益hFE Max为40,直流集电极基极增益hFE Min在10mA时为40,5V时为50,100mA时为50;集电极Ic Max为500mA,且集电极截止电流最大值为100nA(ICBO),且连续集电极电流为0.5A,且配置为单,且集电极-发射极电压VCEO最大值为300V,且集极-发射极饱和电压为0.5V,且集极基极电压VCBO为300V。
FZT657QTA带有电路图,包括卷筒包装,设计用于FZT657系列。
FZT658,带有TOSHIBA制造的EDA/CAD模型。FZT658采用SOT-223封装,是晶体管(BJT)-单体的一部分。