9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的FZT655TC,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FZT655TC参考价格为0.624美元。Diodes Incorporated FZT655TC包装/规格:TRANS NPN 150V 1A SOT223。您可以下载FZT655TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FZT653TC是双极晶体管-BJT NPN中功率晶体管,包括FZT653系列,它们设计为使用卷筒包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000282盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,封装盒设计为在SOT-223中工作,以及单配置,该设备还可以用作2 W Pd功耗,它的最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围是-55 C,该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为100 V,晶体管极性为NPN,集电极-发射器饱和电压为0.23 V,集电极基极电压VCBO为120 V,发射极基极电压VEBO为5 V,最大直流集电极电流为2A,并且增益带宽乘积fT为175MHz,并且连续集电极电流为2A,并且DC集电极基本增益hfe Min在50mA时在2V时为70,在500mA时为500mA,在2A时为55A,在2V下为25A,在2AV时为5V,并且DC电流增益hfe Max为70。
FZT655TA是双极晶体管-BJT NPN高压晶体管,包括0.000282盎司的单位重量,它们设计为与NPN晶体管极性一起工作,系列如数据表注释所示,用于FZT655,提供2 W等Pd功耗功能,包装设计为在卷筒中工作,以及SOT-223封装盒,该设备也可以用作SMD/SMT安装类型,它的最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,该器件的最大直流集电极电流为1 a,增益带宽积fT为30 MHz,发射极基极电压VEBO为5 V,直流电流增益hFE Max为50,直流集电极基极增益hFE Min为50,在5 V时为10 mA,在5 mA时为50,并且连续集电极电流为1A,并且配置为单集电极-发射极电压VCEO Max为150V,集电极-发射器饱和电压为180mV,集电极基极电压VCBO为150V。
FZT655,带有ZETEX制造的电路图。FZT655采用SOT-223封装,是晶体管(BJT)-单体的一部分。
FZT655TAPBF,带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。FZT655TAPBF采用SOT223封装,是IC芯片的一部分。