9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的FZT591TC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FZT591TC参考价格为0.478美元。Diodes Incorporated FZT591TC包装/规范：TRANS PNP 60V 1A SOT223。您可以下载FZT591TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FZT591TA是TRANS PNP 60V 1A SOT-223，包括FZT591系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供2W功率最大值，该设备具有晶体管型PNP，集电器Ic最大值为1A，集电器-发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@500mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为600mV@100mA，1A，集电器截止最大值为100nA，频率转换为150MHz，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-60 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-600 mV，集电极基极电压VCBO为-80 V，发射极基极电压VEBO为-7V，最大直流集电极电流为-2A，增益带宽乘积fT为150MHz，连续集电极电流是-1A，直流集电极基极增益hfe Min在2A5V时为15，直流电流增益hfe Max为100。
FZT591ATA是TRANS PNP 40V 1A SOT223，包括40V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在500mV@100mA、1A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000282盎司，提供PNP等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在PNP下工作，以及SOT-223供应商设备包，该装置也可以用作FZT591系列。此外，功率最大值为2W，该器件提供2 W Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-261-4、TO-261AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为-1A，增益带宽积fT为150MHz，频率转换为150MHz；发射极基极电压VEBO为-7V；直流电流增益hFE Min Ic Vce为300@100mA，5V，直流电流增益h FE Max为300；直流集电极基极增益hFE Min在2A5V时为30，集电极Ic Max为1A，集电极截止电流最大值为100nA，连续集电极电流为-1A，配置为单，集电极-发射极电压VCEO最大值为-40V，集电极/发射极饱和电压为-500mV，集电极基极电压VCBO为-40V。
FZT591A，带有ZETEX制造的电路图。FZT591A采用SOT-223封装，是晶体管（BJT）的一部分-单体。
FZT591TA FZT591，带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。FZT591TA FZT591采用SOT-223封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
