9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的FZT589TC,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FZT589TC参考价格为1.888美元。Diodes Incorporated FZT589TC包装/规格:TRANS PNP 30V 1A SOT223。您可以下载FZT589TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FZT589TA是TRANS PNP 30V 1A SOT223,包括FZT589系列,它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000282盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备以2W功率最大值提供,该设备具有晶体管型PNP,集电极Ic最大值为1A,集电极-发射极击穿最大值为30V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@500mA,2V,Vce饱和最大值Ib Ic为650mV@200mA,2A,集电极截止最大值为100nA(ICBO),频率转换为100MHz,Pd功耗为2W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为-30 V,晶体管极性为PNP,集电极/发射极饱和电压为-0.65 V,集电极基极电压VCBO为-50 V,发射极基极电压VEBO为-5 V,最大直流集电极电流为1 A,增益带宽乘积fT为100 MHz,连续集电极电流是-1 A,直流集电极基极增益hfe Min在2 V时为1 mA时为100,在2 V 100时为500 mA时为2 V 80,在2 A时为1 V 40,在2伏时为2 A,直流电流增益hfe Max为100。
FZT560TA是TRANS PNP 500V 0.15A SOT223,包括500V集电极-发射极击穿最大值,设计用于在500mV@10mA、50mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.000282 oz的晶体管,提供PNP等晶体管类型功能,晶体管极性设计用于PNP,以及SOT-223供应商设备包,该设备也可以用作FZT560系列。此外,功率最大值为2W,该器件提供2 W Pd功耗,该器件具有Digi-ReelR交替封装,封装外壳为TO-261-4、TO-261AA,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+150 C,最大直流集电极电流为0.15A,增益带宽积fT为60MHz,频率转换为60MHz;发射极基极电压VEBO为-5V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@50mA,10V,直流电流最大增益hFE为100,直流集电极基极增益hFE最小值为100,在10mA,10mA,50mA,10mV,50mA时,直流集极基极增益为80,集电极Ic最大值为150mA,集电极截止电流最大值为100nA,连续集电极电流为-0.15A,配置为单集电极-发射极电压VCEO最大值为-500V,集电极-发射器饱和电压为-0.5V,集极基极电压VCBO为-500V。
FZT560TC是双极晶体管-BJT PNP高V 500V,包括-500V集电极基极电压VCBO,它们设计为在-0.5V集电极-发射极饱和电压下工作,集电极-射极电压VCEO Max显示在数据表注释中,用于-500V,提供配置功能,如单、连续集电极电流设计为在-0.15A下工作,除了在10 V时为100,1 mA时为10 V,80 mA时为50 mA,10 V DC集电极基极增益hfe Min,该器件还可以用作100 DC电流增益hfe Max。此外,发射极基极电压VEBO为-5 V,该器件提供60 MHz增益带宽积fT,该器件具有0.15 a的最大DC集电极电流,其最大工作温度范围为+150 C,它的最低工作温度范围为-55℃,安装类型为SMD/SMT,包装箱为SOT-223,包装为卷轴式,Pd功耗为2 W,系列为FZT560,晶体管极性为PNP,单位重量为0.000282盎司。
FZT589带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。FZT589采用SOT-223封装,是晶体管(BJT)的一部分-单体。