9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的FZT549TC,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。FZT549TC参考价格为1.485694美元。Diodes Incorporated FZT549TC包装/规范:TRANS PNP 30V 1A SOT223。您可以下载FZT549TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FZT493TA是TRANS NPN 100V 1A SOT-223,包括FZT493系列,它们设计用于切割胶带(CT)替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000282盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型,该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供2W功率最大值,该设备具有晶体管型NPN,集电器Ic最大值为1A,集电器-发射极击穿最大值为100V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@250mA,10V,Vce饱和最大值Ib Ic为600mV@100mA,1A,集电器截止最大值100nA,频率转换为150MHz,Pd功耗为2W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为100 V,晶体管极性为NPN,集电极/发射极饱和电压为0.6 V,集电极基极电压VCBO为120 V,且发射极基极电压VEBO为5V,且最大DC集电极电流为1A,且增益带宽乘积fT为150MHz,且连续集电极电流是1A,且DC集电极基极增益hfe Min在10mA时为100,在10V时为100。
FZT549TA是TRANS PNP 30V 1A SOT-223,包括30V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在750mV@200mA、2A Vce饱和最大值Ib Ic下工作,单位重量如数据表注释所示,用于0.000282 oz,提供PNP等晶体管类型功能,晶体管极性设计为在PNP中工作,以及SOT-223供应商设备包,该设备也可以用作FZT549系列。此外,功率最大值为2W,该设备提供2 W Pd功耗,该设备具有切割胶带(CT)交替包装,包装箱为TO-261-4、TO-261AA,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,最低工作温度范围为-55 C,最高工作温度范围+150 C,最大直流集电极电流为1A,增益带宽乘积fT为100MHz,频率转换为100MHz;发射极基极电压VEBO为-5V,直流电流增益hFE Min Ic Vce为100@500mA,2V,直流电压增益hFE Max为70,直流集电极基极增益hFE Min在50mA时为70,在2V时为100,集电极Ic最大值为1A,集电极截止值最大值为100nA,连续集电极电流为-1A,配置为单,集电极-发射极电压VCEO最大值为-30 V,集电极/发射极饱和电压为-0.75 V,集极基极电压VCBO为-35 V。
FZT493TAPBF,带有ZETZX制造的电路图。FZT493TAPBF采用SOT-223封装,是IC芯片的一部分。
FZT549,带有ZETEX制造的EDA/CAD模型。FZT549采用SOT-223封装,是晶体管(BJT)的一部分-单体。