
BSH205G2R
- 描述:SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- 品牌: 安世 (Nexperia)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 250
- 库存: 45
- 单价: ¥1.02342
-
数量:
- +
- 总计: ¥255.86
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 制造厂商 安世 (Nexperia)
- 特征频率 -
- 晶体管类别 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 集电极击穿电压 -
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) -
- 集电极最大截止电流 -
- 最小直流增益 -
- 最大功率 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
BSH205G2R 产品详情
NXP P沟道沟槽MOSFET是一种小型SOT23(TO-236AB)表面安装器件(SMD)塑料封装中的增强型场效应晶体管(FET)。它采用沟槽MOSFET技术,提供低阈值电压和非常快的开关。这种MOSFET非常适合继电器驱动器、高速线路驱动器和开关电路等应用。
BSH205G2R所属分类:分立双极结型晶体管,BSH205G2R 由 安世 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSH205G2R价格参考¥1.023422,你可以下载 BSH205G2R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSH205G2R规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安世 (Nexperia)

安世 是分立、逻辑和 MOSFET 器件领域的全球领导者。这家新公司在 2017 年初成为一家独立的公司。 安世 专注于效率,并始终如一生产令客户信赖的高容量半导体元件:每年 850 亿。该公司广泛的...