9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTN2005ZQTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTN2005ZQTA参考价格为0.42294美元。Diodes Incorporated ZXTN2005ZQTA封装/规格：PWR低SAT晶体管SOT89。您可以下载ZXTN2005ZQTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXTN19100CZTA是TRANS NPN 100V 5.25A SOT89，包括ZXTN19100系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004603盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-89-3，以及单一配置，该设备也可用作4460 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为100 V，晶体管极性为NPN，集电极-发射器饱和电压为65 mV，集电极基极电压VCBO为200 V，发射极基极电压VEBO为7 V，最大直流集电极电流为5.25 a，增益带宽乘积fT为150MHz，连续集电极电流为5.25A，直流集电极基极增益hfe Min在5V时为5.25A时为30，直流电流增益hfe Max在5V时100mA时为500。
ZXTN2005GTA是TRANS NPN 25V 7A SOT223，包括0.000282盎司的单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如ZXTN2005中使用的数据表注释所示，该ZXTN2005提供了3 W等Pd功耗功能，包装设计用于卷筒，以及SOT-223封装盒，该设备也可以用作SMD/SMT安装类型，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为7 a，增益带宽积fT为150 MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE Max为300，并且DC集电极基极增益hfe Min在10mA时为300，在1mA时为1 V 300，在1A时为1V 200，在7A时为5V 40，在20V时为5V，并且连续集电极电流为7A，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为25V，并且集电极基极电压VCBO为60V。
ZXTN19100CGTA是TRANS NPN 100V 5.5A SOT223，包括200 V集电极基极电压VCBO，它们设计为与100 V集电极-发射极电压VCEO Max一起工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供直流集电极基基增益hfe Min功能，如100 mA时200，2 V时130，1 a时2 V，直流电流增益hfe Max设计为200，除了7 V发射极基极电压VEBO外，该器件还可以用作150 MHz增益带宽产品fT。此外，最大直流集电极电流为5.5 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为SOT-223，包装为卷筒式，Pd功耗为5300mW，系列为ZXTN191，晶体管极性为NPN，单位重量为0.000282盎司。
ZXTN2005，采用ZETEX制造的EDA/CAD模型。ZXTN2005以SOT-89封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
