内置基极-发射极分流电阻器的单片结构
•高直流电流增益:hFE=1000@VCE=–4V,IC=–5A(最小值)
•工业用途
•补充TIP140T/141T/142T
特色
- 单片达林顿配置
- 集成反并联集电极-发射极二极管
起订量: 1200
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内置基极-发射极分流电阻器的单片结构
•高直流电流增益:hFE=1000@VCE=–4V,IC=–5A(最小值)
•工业用途
•补充TIP140T/141T/142T
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