9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZTX694BSTZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZTX694BSTZ参考价格为0.40500美元。Diodes Incorporated ZTX694BSTZ封装/规格：TRANS NPN 120V 0.5A E-LINE。您可以下载ZTX694BSTZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZTX694B是TRANS NPN 120V 0.5A E-LINE，包括ZTX694系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于E-LINE-3，以及通孔安装类型，该设备也可以用作E-Line（TO-92兼容）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备以1W功率最大值提供，该设备具有晶体管型NPN，集流器Ic最大值为500mA，集电器-发射极击穿最大值为120V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为400@200mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@5mA，400mA，集流器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为130MHz，Pd功耗为1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为120 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.5 V，集电极基极电压VCBO为120 V，并且发射极基极电压VEBO为5V，最大DC集电极电流为0.5A，增益带宽乘积fT为130MHz，连续集电极电流是0.5A，并且DC集电极基极增益hfe Min在100mA时在2V时为500，在200mA时为200，在400V时为150，而DC电流增益hfe Max在100mA下为500。
ZTX692B是TRANS NPN 70V 1A E-LINE，包括70V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在500mV@10mA、1A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000 oz，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及E-Line（TO-92兼容）供应商设备包，该设备也可以用作ZTX692系列。此外，功率最大值为1W，该设备提供1 W Pd功耗，该设备具有大量封装，封装盒为E-Line-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为1 a，增益带宽乘积fT为150 MHz，频率转换为150MHz，发射极基极电压VEBO为5 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为400@500mA，2V，直流电压增益hFE Max为500，在2 V时为100 mA，直流集电极基极增益hFE Min为500，且集电极截止电流最大值为100nA（ICBO），且连续集电极电流为1A，且配置为单一，且集电极-发射极电压VCEO最大值为70V，且集极-发射极饱和电压为0.5V，且集极基极电压VCBO为70V。
ZTX692BSTZ是TRANS NPN 70V 1A E-LINE，包括70 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在0.5 V集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max如数据表注释所示，用于70 V，提供配置功能，如单、连续集电极电流设计为在1 a下工作，除了在2 V DC集电极基极增益为最小值时在100 mA时为500，在2 V时为400，在500 mA时为150，在1 A时为1 V，在2伏DC集电极基极增益为最大值时为500。此外，发射极基极电压VEBO为5 V，该器件提供150 MHz增益带宽产品fT，该器件具有1 A的最大DC集电极电流，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，安装方式为通孔，封装外壳为TO-92，封装为散装，Pd功耗为1 W，系列为ZTX692，晶体管极性为NPN，单位重量为0.016000盎司。
