9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXTN2010GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXTN2010GTA参考价格为0.87000美元。Diodes Incorporated ZXTN2010GTA封装/规格：TRANS NPN 60V 6A SOT223。您可以下载ZXTN2010GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXTN2010ASTZ是TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3，包括ZXTN201系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-226-3、to-92-3短体（成型引线）等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及to-92-3供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为1W，该器件为NPN晶体管型，该器件的集电极Ic最大值为4.5A，集电极-发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@2A、1V，Vce饱和最大值Ib Ic为210mV@200mA、5A，集电极截止最大值为50nA（ICBO），频率转换为130MHz，Pd功耗为1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为150 V，发射极基极电压VEBO为7 V，最大直流集电极电流为4.5 A，并且增益带宽乘积fT为130MHz，并且连续集电极电流为4.5A，并且DC集电极基本增益hfe Min在1mA时为100，在1V时为100mA，在2A时为100V，在5A时为5V，在5V时为20A，在10V时为10V，并且DC电流增益hfe Max在10V下为100mA。
ZXTN2007ZTA是TRANS NPN 30V 6A SOT89，包括30V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在190mV@300mA、6.5A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.001834 oz的晶体管，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计用于NPN，以及SOT-89-3供应商设备包，该设备也可以用作ZXTN2007系列。此外，最大功率为2.1W，该器件提供2100 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-243AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大DC集电极电流为6A，增益带宽积fT为140MHz，频率转换为140MHz；发射极基极电压VEBO为7V，DC电流增益hFE Min Ic Vce为100@1A，1V，且DC电流增益h FE Max为100，且DC集电极基极增益hFE Min为100，在1mA时为10mA，在1V时为100，且集电极Ic Max为6A，且集电极截止最大值为50nA（ICBO），且连续集电极电流为6A，并且配置为单集电极，且集极-发射极电压VCEO Max为30V，以及集电极基极电压VCBO为80V。
ZXTN2010A是TRANS NPN 60V 4.5A TO92-3，包括150 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在60 V集电极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供连续集电极电流功能，如4.5 a，直流集电极基极增益hfe Min设计为在10 mA时在1 V 100时在2 A下在1 V 55时在5 A下在10 V 20时在1 A下在100下工作，以及在1 V直流电流增益hfe Max时在10 mA下工作，该器件也可以用作7 V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为130 MHz，该设备的最大直流集电极电流为4.5 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式为通孔，包装盒为E线，包装为卷筒，Pd功耗为1 W，系列为ZXTN20，晶体管极性为NPN。
