特色
- 低饱和电压，通常VCE（sat）=-400mV（最大值）（IC/IB=-300mA/-15mA）
- 高速切换
2SAR514P5T100
- 描述:晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 380兆赫 供应商设备包装: MPT3
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.54902 | 3.54902 |
| 10+ | 2.86818 | 28.68188 |
| 100+ | 1.95051 | 195.05130 |
| 500+ | 1.46306 | 731.53300 |
| 1000+ | 1.09729 | 1097.29900 |
| 2000+ | 1.00582 | 2011.64400 |
| 5000+ | 0.94483 | 4724.18000 |
| 10000+ | 0.88392 | 8839.24000 |
| 25000+ | 0.86262 | 21565.72500 |
- 库存: 1516
- 单价: ¥3.54902
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.55
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 即插即用
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 集电极击穿电压 80 V
- 最大功率 500 mW
- 包装/外壳 至243AA
- 最大集电极电流 (Ic) 700 mA
- 集电极最大截止电流 1.A（ICBO）
- 供应商设备包装 MPT3
- 最小直流增益 120@100毫安，3V
- 特征频率 380兆赫
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 400mV @ 15毫安, 300毫安
2SAR514P5T100 产品详情
2SAR514P5是用于低频放大器的低饱和电压和高速开关晶体管。
2SAR514P5T100 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SA | 艾沛克斯 (Apex) | TWEEZER POINTED MEDIUM 4.50" | ¥215.11413 |
 | 2SASL | 艾沛克斯 (Apex) | TWEEZER POINTED MEDIUM 4.50" | ¥110.81637 |
 | 2SA1020RLRA | 安盛美 (onsemi) | TRANSISTOR SS PNP 50V 2A TO-92 | ¥0.507 |
 | 2SA1774 | 安盛美 (onsemi) | TRANS PNP GP 50V 100MA SC-75 | ¥0.14486 |
 | 2SA1836-T1-A | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SA1836-T1-A - PNP SILICON EPITA | ¥0.61087 |
| 2SAR512RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 430兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.43218 |
| 2SAR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 380兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.57703 |
| 2SA1871-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SA1871-T1-AZ - PNP SILICON TRIP | ¥5.38278 |
 | 2SA1768S-AN | 安盛美 (onsemi) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 160伏 最大功率: 1 W 特征频率: 120MHz 供应商设备包装: 3-NMP | ¥2.57847 |
| 2SA1015-GR-BP | 微型商业组件 (Micro) | 晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 400毫瓦 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: TO-92 | ¥0.93714 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
