该器件采用平面技术制造,具有“基岛”布局和单片达林顿配置。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
特色
- 单片达林顿配置
- 集成反并联集电极-发射极二极管

起订量: 5
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 18.26542 | 18.26542 |
| 10+ | 15.79570 | 157.95700 |
| 30+ | 14.24030 | 427.20906 |
| 90+ | 12.65337 | 1138.80375 |
| 510+ | 11.93873 | 6088.75383 |
| 990+ | 11.62344 | 11507.21451 |
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该器件采用平面技术制造,具有“基岛”布局和单片达林顿配置。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。

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