MJD3055T4

Name: MJD3055T4
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7096806-MJD3055T4
Price: 8.112048 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 20瓦特征频率: 2MHz 供应商设备包装: DPAK
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

部件状态可供货
晶体管类别 NPN
安装类别表面安装
工作温度 150摄氏度（TJ）
最大集电极电流 (Ic) 10A
集电极击穿电压 60 V
特征频率 2MHz
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
最小直流增益 20@4A，4V
供应商设备包装 DPAK
集电极最大截止电流 50A
最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 8V @ 3.3A, 10A
最大功率 20瓦

MJD3055T4 产品详情

MJD2955和MJD3055T4形成互补的PNP-NPN对。它们采用外延基底技术制造，具有成本效益高的性能。

特色

STMicroelectronics首选销售
电气类似于MJE2955T和MJE3055T
表面安装到磁带和卷轴中的252（DPAK）电源组件（后缀“T4”）

MJD3055T4 相关器件

型号	制造商	描述	价格
MJD200G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏最大功率: 1.4瓦特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK	¥5.07003
MJD117TF		POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10	¥2.03381
MJD210G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: 即插即用最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏最大功率: 1.4瓦特征频率: 65MHz 供应商设备包装: DPAK	¥4.56303
MJD50G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 400伏最大功率: 1.56瓦特征频率: 10MHz 供应商设备包装: DPAK	¥6.30132
MJD243G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 100伏最大功率: 1.4瓦特征频率: 40MHz 供应商设备包装: DPAK	¥7.09804
MJD112	江苏长电/长晶 (CJ)	暂无	¥1.28541
MJD122	江苏长电/长晶 (CJ)	暂无	¥1.28425
MJD122 TO-252-2	江苏长电/长晶 (CJ)		¥0.81338
MJD112 TO-252-2	江苏长电/长晶 (CJ)		¥0.81555
MJD31C TO-252-2	江苏长电/长晶 (CJ)		¥0.89884

MJD3055T4所属分类：分立双极结型晶体管，MJD3055T4 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MJD3055T4价格参考￥8.112048，你可以下载 MJD3055T4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MJD3055T4规格参数、现货库存、封装信息等信息！