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HFA3127BZ是集成电路晶体管阵列UHF 16-SOIC，包括HFA3127系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019312盎司，提供封装外壳功能，如16-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），技术设计用于Si以及表面安装型，该器件也可以用作16-SOIC供应商器件封装。此外，配置为Quint，该设备的最大功率为150mW，该设备具有5 NPN晶体管型，集电极Ic最大值为65mA，集电极-发射极击穿最大值为12V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为40@10mA，2V，频率转换为8GHz，噪声系数dB Typ f为3.5dB@1GHz，Pd功耗为150mW，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，工作频率为8000 MHz（Typ），集电极-发射极电压VCEO Max为8 V，晶体管极性为NPN，发射极基极电压VEBO为5.5 V，最大直流集电极电流为0.065 A，连续集电极电流0.065 A，并且DC集电极基极增益hfe Min在10mA和2V时为40。
HFA3127BZ96是IC TRANS ARRAY NPN 16-SOIC，包括12V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为以0.019312盎司单位重量运行，数据表注释中显示了用于5 NPN的晶体管类型，该NPN提供晶体管极性特性，如NPN，技术设计为在Si中工作，以及16-SOIC供应商设备包，该设备也可以用作HFA3127系列。此外，最大功率为150mW，该设备提供150mW Pd功耗，该设备具有磁带和卷轴（TR）交替包装，封装外壳为16-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作频率为8000 MHz（Typ），噪声系数dB Typ f为3.5dB@1GHz，安装类型为表面安装，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+125 C，最大直流集电极电流为0.065 A，频率转换为8GHz，发射极基极电压VEBO为5.5 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为40@10mA，2V，并且DC集电极基极增益hfe Min在2 V时为10 mA时为40，电流集电极Ic Max为65 mA，连续集电极电流为0.065 A，配置为Quint，集电极-发射极电压VCEO Max为8 V。
HFA3127B96是IC TRANS ARRAY NPN 16-SOIC，包括65mA集流器IC Max，设计用于40@10mA，2V DC电流增益hFE Min IC Vce，数据表说明中显示了8GHz中使用的频率转换，提供了表面安装等安装类型功能，噪声系数dB Typ f设计用于3.5dB@1GHz，除了16-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒外，该器件还可以用作磁带和卷轴（TR）封装。此外，最大功率为150mW，该器件采用16-SOIC供应商器件封装，该器件具有5个晶体管型NPN，集电极-发射极击穿最大值为12V。
