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FSB619是TRANS NPN 50V 2A SSOT-3,包括Digi-ReelR替代包装包装,其设计可在单位重量为0.001058盎司的情况下工作,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等包装箱功能,该设备也可以用作单一配置。此外,功率最大值为500mW,该器件为NPN晶体管型,该器件具有2A的电流收集器Ic最大值,电压收集器-发射器击穿最大值为50V,直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@1A,2V,Vce饱和最大值Ib Ic为320mV@50mA,2A,电流收集器截止最大值为100nA,频率转换为100MHz,Pd功耗为0.5W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,集电极-发射极电压VCEO Max为50 V,晶体管极性为NPN,集电极/发射极饱和电压为320 mV,集电极基极电压VCBO为50 V、发射极基极电压VEBO为5 V,并且最大DC集电极电流为2A,并且增益带宽乘积fT为100MHz,并且连续集电极电流是2A,并且DC集电极基本增益hfe Min为300。
FSB649是TRANS NPN 25V 3A SSOT-3,包括0.001058盎司单位重量,它们设计用于NPN晶体管极性,Pd功耗如数据表注释所示,用于0.5 W,提供卷盘等封装功能,包装盒设计用于超级SOT,以及SMD/SMT安装样式,其最低工作温度范围为-55 C,它的最大工作温度范围为+150℃,该设备的最大直流集电极电流为3 A,该设备具有5 V的发射极基极电压VEBO,直流电流增益hFE Max为300,直流集电极基极增益hFE Min为100,连续集电极电流是3 A,配置为单,集电极-发射极电压VCEO Max为25 V,集电极-发射极饱和电压为600mV,集电极-基极电压VCBO为35V。
FSB560A-NL,带有FAIRCHILD制造的电路图。FSB560A-NL采用SOT-23封装,是IC芯片的一部分。