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KSP44TA是TRANS NPN 400V 0.3A TO-92，包括切割胶带（CT）替代包装包装，设计用于0.008466盎司单位重量的包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成型引线）等包装箱功能，安装类型设计用于通孔，以及TO-92-3供应商设备包，该设备也可作为单一配置使用。此外，功率最大值为625mW，该器件为NPN晶体管型，该器件具有300mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器-发射器击穿最大值为400V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为50@10mA、10V和Vce饱和最大值Ib Ic为750mV@5mA、50mA，电流收集器截止最大值为500nA，Pd功耗为625mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，集电极-发射极电压VCEO Max为400 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.75 V，集电极基极电压VCBO为500 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为0.3 A，且连续集电极电流为0.3A，且DC集电极基极增益hfe Min为50，且DC电流增益hfe Max为200。
KSP44TF是双极晶体管-BJT NPN Si晶体管外延，包括0.008466盎司单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，Pd功耗如数据表注释所示，用于625 mW，提供卷轴等封装功能，包装盒设计用于to-92-3弯折引线，以及通孔安装样式，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该设备的最大直流集电极电流为300 mA，该设备具有6 V的发射极基极电压VEBO，直流电流增益hFE最大值为200，直流集电极基极增益hFE最小值为50，连续集电极电流值为0.3 a，该配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为400V，集电极-发射器饱和电压为750mV，集电极基极电压VCBO为500V。
KSP45，电路图由HGF制造。KSP45采用TO-92封装，是IC芯片的一部分。
