特征
·外延平面模具结构
·补充NPN类型-MMBT5551
·适用于低功率放大和开关
·完全无铅且完全符合RoHS（注释1和2）
·无卤素和锑。“绿色”设备（注3）
·符合AEC-Q101高可靠性标准
·PPAP能力（注4）
（图片：引线/示意图）
MMBT5401-7-F
- 描述:晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 150伏 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: SOT-23-3
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.15583 | 0.15583 |
| 100+ | 0.12985 | 12.98590 |
- 库存: 77
- 单价: ¥0.15583
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.16
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 即插即用
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最大集电极电流 (Ic) 600 mA
- 供应商设备包装 SOT-23-3
- 最大功率 300毫瓦
- 特征频率 300MHz
- 集电极击穿电压 150伏
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 500mV @ 5毫安, 50毫安
- 集电极最大截止电流 50nA (ICBO)
- 最小直流增益 60 @ 10毫安, 5V
MMBT5401-7-F 产品详情
MMBT5401-7-F 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MMB70-12GH50-1N-V1 | 倍加福 (Pepperl+Fuchs) | 种类: 转换 频率: 1千赫 电源电压: 8.2V 包装/外壳: 气缸，螺纹-M12 工作温度: -25摄氏度~70摄氏度（TA） | ¥1,612.05768 |
 | MMBT4403WT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS SS GP PNP SS 40V SC70 | ¥0.14429 |
 | MMBD6050LT1 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCH 70V SOT23 | ¥0.28858 |
 | MMBD6050LT3 | 安盛美 (onsemi) | DIODE SWITCHING 70V SOT-23 | ¥0.14429 |
| MMBT2222ATT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 75V 600MA SC-75 | ¥0.14429 |
| MMBT3416LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 25V 100MA SOT-23 | ¥0.14429 |
 | MMBT4124LT1 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 20V 200MA SOT-23 | ¥0.14429 |
| MMBT4401LT3 | 安盛美 (onsemi) | TRANS NPN GP 40V 600MA SOT-23 | ¥0.14429 |
| MMBZ5239ELT1G | 安盛美 (onsemi) | DIODE ZENER 225MW 9.1V SOT-23 | ¥0.14429 |
 | MMBD4148,215 | 恩智浦 (NXP) | DIODE SWITCH 75V 0.215A TO236AB | ¥0.14429 |
MMBT5401-7-F所属分类：分立双极结型晶体管，MMBT5401-7-F 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MMBT5401-7-F价格参考￥0.155831，你可以下载 MMBT5401-7-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MMBT5401-7-F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
