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BC857AMTF是TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23，包括Digi-ReelR替代包装包装，其设计为单位重量为0.002116盎司，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-236-3、SC-59、SOT-23-3等包装箱功能，安装类型设计为表面安装，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为310mW，该器件为PNP晶体管型，该器件具有100mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器-发射器击穿最大值为45V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为110@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为650mV@5mA，100mA，电流收集器截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为150MHz，Pd功耗为310 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-45 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-250 mV，集电极基极电压VCBO为-50 V，发射极基极电压VEBO为-5 V，最大DC集电极电流为0.1A，增益带宽乘积fT为150MHz，连续集电极电流是-0.1A，DC集电极基本增益hfe Min为110，DC电流增益hfe Max为800。
BC857ALT1G是TRANS PNP 45V 0.1A SOT-23，包括0.050717 oz单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于BC857AL，提供Pd功耗功能，如225 mW，包装设计用于卷筒，以及SOT-23-3包装箱，该设备也可以用作SMD/SMT安装类型，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为0.1 a，增益带宽积fT为100 MHz，发射极基极电压VEBO为5 V，直流集电极基极增益hfe Min为125，连续集电极电流为-0.1 a，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为-65V，集电极-发射器饱和电压为-0.65 V，集极基极电压VCBO为-80 V。
带有电路图的BC857AQAZ，包括15nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于100mA集流器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于125@2mA，5V，提供100MHz等频率转换功能，包装设计用于卷筒，以及280mW最大功率，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，晶体管类型为PNP，该器件提供400mV@5mA、100mA Vce饱和最大Ib Ic，该器件具有45V的集电极-发射极击穿最大值。
BC857AM，采用PHILIPS制造的EDA/CAD模型。BC857AM在SOT-883封装中提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
