9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EMZ1DXV6T1，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。EMZ1DXV6T1价格参考$0.04000。onsemi EMZ1DXV6T1包装/规格：TRANS NPN/PNP 60V 0.1A SOT563。您可以下载EMZ1DXV6T1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EMY1T2R是TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5EMT，包括EMY1系列，设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如6-SMD（5引线），扁平引线，安装类型设计用于表面安装，以及EMT5供应商设备封装，该设备也可以用作双配置。此外，功率最大值为150mW，该器件采用NPN、PNP（发射极耦合）晶体管类型，该器件具有150mA的集电极Ic最大值，集电极-发射极击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为120@1mA、6V，Vce饱和最大值Ib Ic为400mV@5mA、50mA/500mV@5mA、50mA，集电极截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为180MHz、140MHz，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极基极电压VCBO为60 V，在NPN 6 V PNP时，发射极基极电压VEBO为7 V，最大直流集电极电流为0.15A，增益带宽乘积fT为140MHz 180MHz，直流集电极基本增益hfe Min为120，直流电流增益hfe Max为120，电压为6V时为1mA。
EMZ1和ROHM制造的用户指南。EMZ1采用SOT663封装，是晶体管（BJT）阵列的一部分。
EMZ1 T2R，电路图由ROHM制造。EMZ1 T2R在EMT6封装中提供，是晶体管（BJT）阵列的一部分。
