NPN硅RF晶体管
特色
- 低噪声放大器专为低电压应用而设计，是1.2 V或1.8 V电源电压的理想选择。支持2.9 V Vcc，具有足够的外部集电极电阻。
- 由于高渡越频率fT=45 GHz，在高频下具有高增益和低噪声
- 查找用途，例如无绳电话和卫星接收器
- 无铅（符合RoHS）标准封装，带可见引线
- 根据AEC-Q101的鉴定报告可用
应用
- 无线通信
- 用于RF前端的放大器和振荡器应用
BFP520FH6327XTSA1
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 40毫安 集电极击穿电压: 3.5伏 最大功率: 100mW 特征频率: 45GHz 供应商设备包装: 4-TSFP
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.03922 | 4.03922 |
| 10+ | 3.48383 | 34.83831 |
| 25+ | 3.25157 | 81.28937 |
| 100+ | 2.60097 | 260.09720 |
| 250+ | 2.41545 | 603.86400 |
| 500+ | 2.04384 | 1021.92350 |
| 1000+ | 1.61569 | 1615.69000 |
| 3000+ | 1.61569 | 4847.07000 |
- 库存: 626785
- 单价: ¥4.03922
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.04
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规格参数
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 最大功率 100mW
- 包装/外壳 4-SMD，扁平引线
- 供应商设备包装 4-TSFP
- 集电极击穿电压 3.5伏
- 最大集电极电流 (Ic) 40毫安
- 特征频率 45GHz
- 噪声系数 (dB) 频率 (f) 0.95分贝@1.8GHz
- 增益 22.5分贝
- 最小直流增益 70 @ 20毫安, 2V
BFP520FH6327XTSA1 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BFP-127111-10-9 | 泰科瑞侃 (Raychem Cable) | BFP-127111-10-9 | ¥414.19788 |
 | BFP 196 WN H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥1.38799 |
| BFP 420 H6801 | 英飞凌 (Infineon) | 暂无 | ¥3.45375 |
| BFP740H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4V 集电极电流(Ic)：45mA 功率(Pd)：160mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：250@25mA,3V | ¥1.75451 |
| BFP420H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：4.5V 集电极电流(Ic)：60mA 功率(Pd)：210mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：95@20mA,4V | ¥0.86113 |
| BFP 196W H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：12V 集电极电流(Ic)：150mA 功率(Pd)：700mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：70@50mA,8V | ¥0.54457 |
| BFP520H6327 | 英飞凌 (Infineon) | 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：3.5V 功率(Pd)：100mW | ¥1.95263 |
| BFP 640 H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.34376 | |
| BFP 640ESD H6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥1.54717 | |
| BFP196WH6327 | 英飞凌 (Infineon) | ¥0.72922 |
BFP520FH6327XTSA1所属分类：双极射频晶体管，BFP520FH6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BFP520FH6327XTSA1价格参考￥4.039224，你可以下载 BFP520FH6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BFP520FH6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
