9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的MMBTH10Q-7-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBTH10Q-7-F参考价格为0.42000美元。Diodes Incorporated MMBTH10Q-7-F封装/规格：RF晶体管SOT23。您可以下载MMBTH10Q-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMBTH10LT3G是TRANS VHF/UHF NPN 25V SOT23，包括MMBTH110L系列，它们设计用于带卷（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.007090盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为225mW，该设备具有晶体管型NPN，集电极-发射极击穿最大值为25V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为60@4mA，10V，频率转换为650MHz，Pd功率耗散为225 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，集电极-发射极电压VCEO Max为25 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.5 V，集电极基极电压VCBO为30 V，发射极基极电压VEBO为3 V，增益带宽积fT为650 MHz，直流集电极-基极增益hfe Min为60。
MMBTH10LT1G是TRANS SS VHF MIXER NPN 25V SOT23，包括25V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计用于单位重量为0.050717盎司的NPN，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备包设计用于SOT-23-3（to-236）以及MMBTH110L系列，该设备也可以用作225mW最大功率。此外，Pd功耗为225mW，该设备采用Digi-ReelR替代包装包装，该设备具有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，增益带宽积fT为650 MHz，频率转换为650 MHz；发射极基极电压VEBO为3 V；直流电流增益hFE最小Ic Vce为60@4mA，10V，直流集电极基极增益hFE最小为60，集电极-发射极饱和电压为0.5V，集电极-基极电压VCBO为30V。
MMBTH10M3T5G是TRANS NPN VHF/UHF 25V SOT-723，包括30 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在25 V集电极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于单台，提供直流集电极基基增益hfe Min功能，如10 V时4 mA时60，以及60@4mA、10V DC电流增益hFE最小Ic Vce，该器件也可以用作3V发射极基极电压VEBO。此外，频率转换为650MHz，该设备以650MHz增益带宽产品fT提供，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，封装外壳为SOT-723，封装为磁带和卷轴（TR），Pd功耗为640 mW，功率最大值为265mW，系列为MMBTH10M3，供应商器件封装为SOT-723，晶体管极性为NPN，晶体管类型为NPN。集电极-发射极击穿最大值为25V。
MMBTH10LT1是TRANS SS VHF NPN 25V SOT23，包括TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，它们设计用于表面安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SOT-23-2（TO-236），提供晶体管型功能，如NPN，封装设计用于切割带（CT），以及650MHz频率转换，该器件还可以用作60@4mA、10V DC电流增益hFE最小Ic-Vce。此外，电压收集器发射器击穿最大值为25V，该设备的最大功率为225mW。
