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2N2608是JFET JFET P通道，包括2N2608系列，它们设计用于卷筒包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-18-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及单一配置，该设备也可以用作300mW Pd功耗。此外，Id连续漏极电流为5 mA，器件提供-10 V Vds漏极-源极击穿电压，器件具有晶体管极性的P沟道，正向跨导最小值为1 mS，Vgs栅源击穿电压为-30 V，漏极-漏极电压Vdss为-4.5 mA，栅源截止电压为4 V。
2N2609是JFET JFET P沟道，包括-30 V Vgs栅极-源极击穿电压，它们设计为在-10 V Vds漏极-源极电压下工作。数据表中显示了用于P沟道的晶体管极性，其提供Si、Pd等技术特性。功耗设计为在300 mW下工作，以及卷筒封装，该装置也可用作TO-18-3包装箱。此外，安装类型为通孔，该器件提供5 mA Id连续漏极电流，该器件具有4 V的栅极-源极截止电压，正向跨导最小值为25 mS，漏极-源极电压Vdss为-10 mA，配置为单一。
2N2605是TRANS PNP 60V 0.03A TO-46，包括通孔安装型，设计用于TO-46-3包装箱。
2N2614，带有MOT制造的EDA/CAD模型。2N2614采用CAN3封装，是IC芯片的一部分。
