一系列NXP BISS(小信号突破)低饱和电压PNP双极结晶体管。这些器件在紧凑的空间节省封装中具有非常低的集电极-发射极饱和电压和高的集电极电流容量。当用于开关和数字应用中时,这些晶体管的减少的损耗导致较低的发热量和总体效率的提高。

PBSS5160DS,115
- 描述:晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 770毫安 最大功率: 420mW 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 2.82473 | 2.82473 |
10+ | 2.27427 | 22.74271 |
100+ | 1.54780 | 154.78080 |
500+ | 1.16089 | 580.44600 |
1000+ | 0.87059 | 870.59700 |
3000+ | 0.79809 | 2394.28500 |
6000+ | 0.75289 | 4517.39400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.82473
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数量:
- +
- 总计: ¥2.82
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规格参数
- 晶体管类别 2 PNP(双)
- 工作温度 150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 60V
- 集电极最大截止电流 100nA
- 包装/外壳 SC-74,SOT-457
- 供应商设备包装 6-TSOP
- 最大功率 420mW
- 最大集电极电流 (Ic) 770毫安
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 330mV @ 100毫安, 1A
- 最小直流增益 150@500毫安,5V
- 特征频率 185兆赫
PBSS5160DS,115 产品详情
低饱和电压PNP晶体管
PBSS5160DS,115所属分类:双极性晶体管阵列,PBSS5160DS,115 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PBSS5160DS,115价格参考¥2.824731,你可以下载 PBSS5160DS,115中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PBSS5160DS,115规格参数、现货库存、封装信息等信息!
安世半导体 (Nexperia)

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...