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PBSS4220PANSX，带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为与替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供最大功率功能，如370mW，晶体管类型设计为在2 NPN（双）以及2A电流收集器Ic Max中工作，该器件还可以用作20V电压收集器发射极击穿最大值。此外，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@1A，2V，该器件提供320mV@200mA，2A Vce饱和最大Ib Ic，该器件具有100nA（ICBO）电流收集器截止最大值，频率转换为120MHz。
PBSS4220V，带有NXP制造的用户指南。PBSS4220V在SOT-666封装中提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
PBSS4220V，115是NXP制造的TRANS NPN 20V 2A SOT666。PBSS4220V，115可在SOT-563、SOT-666封装中获得，是晶体管（BJT）-单体的一部分，并支持TRANS NPN 20V 2A SOT666、双极（BJT、NPN 20V 2A210MHz 900mW表面安装SOT-666、双极晶体管-BJT LO VCESAT（BISS）TRANS。
