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BCM856BSH是TRANS 2PNP 65V 0.1A 6SSOP，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于6-TSSOP，以及双重配置，该器件还可以用作300mW最大功率。此外，晶体管类型为2 PNP（双）匹配对，该器件提供100mA集流器Ic Max，该器件具有65V的集流器发射极击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA，5V，Vce饱和最大Ib Ic为400mV@5mA，100mA，集流器截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为175MHz，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为65 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为200 mV，集电极基极电压VCBO为80 V，发射极基极电压VEBO为5V，最大DC集电极电流为100mA，增益带宽乘积fT为175MHz，DC集电极基极增益hfe Min为200。
BCM856BS，115是TRANS 2PNP 65V 0.1A 6SSOP，包括65V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在400mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，数据表注释中显示了用于2 PNP（双）匹配对的晶体管类型，该对提供供应商设备包功能，如6-TSSOP，功率最大值设计为300mW，除了Digi-ReelR替代包装外，该设备还可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装箱。此外，安装类型为表面安装，该设备提供175MHz频率转换，该设备具有200@2mA、5V的直流电流增益hFE最小Ic-Vce，集电器最大Ic为100mA，集电器截止电流最大值为15nA（ICBO）。
BCM856BS115，带有PHA制造的电路图。BCM856BS115采用SOT363封装，是晶体管（BJT）阵列的一部分。
