特色
- IPM 1 A,500 V,RDS(打开)=3.6Ω,三相MOSFET逆变器桥,包括用于栅极驱动的控制IC
- 针对低电磁干扰进行了优化
- 3.3 V、5 V、15 V CMOS/TTL输入比较器,带滞后和下拉/上拉电阻器
- 欠压锁定
- 内部自举二极管
- 联锁功能

起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 38.15980 | 38.15980 |
| 200+ | 14.77628 | 2955.25680 |
| 500+ | 14.25081 | 7125.40550 |
| 1000+ | 13.99858 | 13998.58500 |
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