9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N4104-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4104-1参考价格$2.35501。Microchip Technology 1N4104-1包装/规格：DIODE ZENER。您可以下载1N4104-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4104 TR带销细节，包括1N4104系列，其设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004833盎司，具有通孔、高度设计为2.29 mm以及5.08 mm长度的安装样式特征，该设备也可用于2.29 mm宽度。此外，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，设备具有安装型通孔，供应商设备包装为DO-35，配置为单一，公差为±5%，最大功率为250mW，电压齐纳标称Vz为10V，阻抗最大Zzt为200欧姆，电流反向泄漏Vr为1μA@7.6V，正向电压Vf Max If为1.1V@200mA，Pd功耗为250mW，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为10 V，电压容差为5%，齐纳电流为24.8 mA，Zz齐纳阻抗为200欧姆，Ir反向电流为1uA。
1N4103UR是DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA，包括9.1V电压齐纳标称Vz，它们设计为在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-213AA，功率最大值设计为500MW，以及散装包装，该器件也可作为DO-213AA（玻璃）封装盒使用，其工作温度范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件的阻抗最大值为200欧姆，反向漏电Vr为500nA@6.92V。
1N4104（DO35），带电路图，包括1μA@7.6V电流反向泄漏Vr，设计用于200欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C~200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及散装包装，该设备也可作为400mW最大功率使用。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为10V。
1N4103UR-1，带EDA/CAD模型，包括散装包装。
