9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX85B3V3-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX85B3V3-TAP价格参考$0.05610。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX85B3V3-TAP封装/规格：DIODE ZENER 3.3V 1.3W DO41。您可以下载BZX85B3V3-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BZX85B39-TR是DIODE ZENER 39V 1.3W DO41，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.010935盎司，具有通孔、高度设计为2.6 mm以及4.1 mm长度等安装样式特征，该装置也可以用作2.6mm宽。此外，封装外壳为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，设备具有安装型通孔，供应商设备封装为DO-41，配置为单一，公差为±2%，功率最大值为1.3W，电压齐纳标称Vz为39V，阻抗最大值Zzt为50欧姆，电流反向泄漏Vr为500nA@30V，Pd功耗为1.3W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为39 V，电压容差为2%，电压温度系数为0.078%/C，齐纳电流为28 mA，Zz齐纳阻抗为50欧姆，Ir反向电流为500 nA。
BZX85B3V0-TR是DIODE ZENER 3V 1.3W DO41，包括20欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于330 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如3 V，电压齐纳标称Vz设计用于3V，以及2%电压容差，该器件还可以用作-0.065%/C电压温度系数。此外，单位重量为0.010935盎司，该设备的公差为±2%，该设备具有DO-41供应商设备包装，系列为AEC-Q101，最大功率为1.3W，Pd功耗为1.3W。包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，其工作温度范围为-55°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型为穿孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，长度为4.1 mm，Ir反向电流为100 uA，阻抗最大值Zzt为20 Ohm，高度为2.6 mm，电流反向泄漏Vr为100μA@1V，配置为单一。
BZX85B3V0-TAP是DIODE ZENER 3V 1.3W DO41，包括单一配置，它们设计为在100μa@1V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于2.6 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如20 Ohm，Ir反向电流设计为100μa，长度为4.1 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-55℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度范围在-55℃~175℃之间，包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，包装为磁带盒（TB）交替包装，Pd功耗为1.3W，功率最大值为1.3W；系列为Automotive，AEC-Q101，供应商设备封装为DO-41，公差为±2%，单位重量为0.010935 oz，电压温度系数为-0.065%/C，电压公差为2%，电压齐纳标称Vz为3V，Vz齐纳电压为3 V，宽度为2.6 mm，齐纳电流为330mA，Zz齐纳阻抗为20欧姆。
