9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MMBZ5240C-HE3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBZ5240C-HE3-18参考价格$0.03534。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MMBZ5240C-HE3-18封装/规格：DIODE ZENER 10V 225MW SOT23-3。您可以下载MMBZ5240C-HE3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMBZ5240BTS-7-F是DIODE ZENER ARRAY 10V SOT363，包括MMBZ5240系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1毫米，长度为2.2毫米，设备也可用于1.35毫米宽。此外，包装箱为6-TSSOP、SC-88、SOT-363，其工作温度范围为-65°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备包装为SOT-363，配置为3独立，公差为±5%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为10V，阻抗最大Zzt为17欧姆，电流反向泄漏Vr为3μA@8V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为10 V，电压容差为5%，Zz齐纳阻抗为17欧姆，Ir反向电流为3 uA。
MMBZ5240BW-7-F是DIODE ZENER 10V 200MW SOT323，包括17欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于1.35毫米宽，数据表中显示了用于10伏的Vz齐纳电压，提供10V等电压齐纳标称Vz特性，电压容差设计为工作在5%，以及900mV@10mA电压正向Vf Max If，该装置也可以用作0.000212盎司单位重量。此外，公差为±5%，该器件采用SOT-323供应商器件封装，该器件具有MMBZ5240系列，最大功率为200mW，Pd功耗为200mW。封装采用Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SC-70、SOT-323，工作温度范围为-65°C～150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，长度为2.2 mm，Ir反向电流为3 uA，阻抗最大值Zzt为17欧姆，高度为1 mm，反向泄漏电流Vr为3μA@8V，配置为单一。
MMBZ5240BW-7是DIODE ZENER 10V 200MW SOT323，包括3μA@8V电流反向泄漏Vr，它们设计为在17欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-65°C~150°C，包装箱设计为在SC-70、SOT-323以及磁带和卷轴（TR）包装中工作，该设备也可作为200mW最大功率使用。此外，供应商设备包为SOT-323，该设备的容差为±5%，该设备具有900mV@10mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为10V。
MMBZ5240BV，带有ANPEC制造的EDA/CAD模型。MMBZ5240BV采用SOD523封装，是IC芯片的一部分。
