9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MMBZ4690-HE3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMBZ4690-HE3-18参考价格$0.03534。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MMBZ4690-HE3-18封装/规格：DIODE ZENER 5.6V 350MW SOT23-3。您可以下载MMBZ4690-HE3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMBZ4689-HE3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于小信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.000310盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备在SOT-23-3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，公差为±5%，最大功率为350mW，电压齐纳标称Vz为5.1V，电流反向泄漏Vr为10μa@3V，Pd功耗为350mW。其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，Vz齐纳电压为5.1V，电压容差为5%，Ir反向电流为10uA。
MMBZ4689-HE3-18带有用户指南，其中包括5.1 V Vz齐纳电压，它们设计为在5.1V电压齐纳标称Vz下工作，数据表注释中显示了5%的电压公差，提供了0.000310盎司等单位重量功能，公差设计为±5%，以及SOT-23-3供应商设备包，该设备也可以用作汽车、AEC-Q101系列。此外，该产品为小信号齐纳二极管，该器件的最大功率为350mW，该器件具有350mW的Pd功耗，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为10 uA，电流反向泄漏Vr为10μA@3V，配置为单一。
MMBZ4689LT1，带有ON制造的电路图。MMBZ4689 LT1采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
MMBZ4689-V-GS08，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。MMBZ4689-V-GS08采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
