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MM5Z8V2T1G是DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD523F,包括Digi-ReelR替代包装包装,它们设计为以0.000342盎司的单位重量运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,具有0.7 mm的高度特征,长度设计为1.3 mm,以及0.9 mm的宽度,该设备也可以用作SC-79,SOD-523F封装外壳,其工作温度范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装安装型,该器件具有供应商器件封装的SOD-523 F,配置为单一,容差为±6%,最大功率为200mW,电压齐纳标称Vz为8.2V,阻抗最大Zzt为15欧姆,电流反向泄漏Vr为700nA@5V,Pd功耗为200mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为8.2 V,电压容差为6%,Zz齐纳阻抗为15欧姆,Ir反向电流为700 nA。
MM5Z9V1是DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD523F,包括15欧姆Zz齐纳阻抗,其设计工作宽度为0.9 mm,Vz齐纳电压如数据表注释所示,用于9.1 V,提供电压齐纳标称Vz特性,如9.1V,电压容差设计为6%,单位重量为0.000342盎司,该设备也可以用作±6%容差。此外,供应商设备包装为SOD-523F,该设备的最大功率为200mW,该设备具有200mW的Pd功耗,包装为Digi-ReelR替代包装,包装箱为SC-79,SOD-523 F,其工作温度范围为-55°C~150°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,长度为1.3 mm,Ir反向电流为200 nA,阻抗最大值Zzt为15 Ohm,高度为0.7 mm,电流反向泄漏Vr为200nA@7V,配置为单一。
MM5Z9V1B,带有ST制造的电路图。MM5Z9 V1B采用SOD523封装,是IC芯片的一部分。