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MM5Z8V2T1G是DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD523F，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计为以0.000342盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，具有0.7 mm的高度特征，长度设计为1.3 mm，以及0.9 mm的宽度，该设备也可以用作SC-79，SOD-523F封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-523 F，配置为单一，容差为±6%，最大功率为200mW，电压齐纳标称Vz为8.2V，阻抗最大Zzt为15欧姆，电流反向泄漏Vr为700nA@5V，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为8.2 V，电压容差为6%，Zz齐纳阻抗为15欧姆，Ir反向电流为700 nA。
MM5Z9V1是DIODE ZENER 9.1V 200MW SOD523F，包括15欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为0.9 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于9.1 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如9.1V，电压容差设计为6%，单位重量为0.000342盎司，该设备也可以用作±6%容差。此外，供应商设备包装为SOD-523F，该设备的最大功率为200mW，该设备具有200mW的Pd功耗，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为SC-79，SOD-523 F，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，长度为1.3 mm，Ir反向电流为200 nA，阻抗最大值Zzt为15 Ohm，高度为0.7 mm，电流反向泄漏Vr为200nA@7V，配置为单一。
MM5Z9V1B，带有ST制造的电路图。MM5Z9 V1B采用SOD523封装，是IC芯片的一部分。
