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SZMMBZ5259BLT1G是DIODE ZENER 39V 225MW SOT23-3，包括MMBZ5259BL系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007090盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为0.94 mm，长度为2.9 mm，设备也可以用作1.3 mm宽。此外，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-65°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备包装为SOT-23-2（TO-236），配置为单一，公差为±5%，最大功率为225mW，电压齐纳标称Vz为39V，阻抗最大Zzt为80欧姆，电流反向泄漏Vr在30V时为100nA，电压正向Vf Max If在10mA时为900mV，Pd功耗为300mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，Vz齐纳电压为39 V，电压容差为5%，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为100 nA。
SZMMBZ5260BLT1G是DIODE ZENER 43V 225MW SOT23-3，包括43V电压齐纳标称Vz，它们设计为在900mV@10mA电压正向Vf最大值下工作，公差显示在数据表注释中，以±5%使用，提供供应商设备包功能，如SOT-23-3（to-236），系列设计用于MMBZ526E，以及225MW最大功率，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-65°C~150°C，该设备具有安装型表面安装，阻抗最大Zzt为93欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@33V，配置为单一。
SZMMBZ5258BLT1G是二极管ZENER 36V 225MW SOT23-3，包括100nA@27V电流反向泄漏Vr，设计用于70欧姆阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，其工作温度范围为-65°C ~ 150°C，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作225mW最大功率。此外，该系列为MMBZ5258E，该器件采用SOT-23-3（TO-236）供应商器件封装，该器件具有±5%的容差，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，电压齐纳标称Vz为36V。
