9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5264B-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5264B-TAP参考价格$0.02376。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5264B-TAP封装/规格：DIODE ZENER 60V 500MW DO35。您可以下载1N5264B-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N5264B-TAP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N5264B TR，带销细节，包括1N5264系列，其设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35轴向，其工作温度范围为-65°C~200°C，安装类型设计用于通孔，以及DO-35供应商设备包，该装置也可用作±5%公差。此外，最大功率为500mW，该设备提供60V电压齐纳标称Vz，该设备具有170欧姆阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@46V，电压正向Vf最大If为1.1V@200mA。
1N5264BDO35，带有用户指南，包括60V电压齐纳标称Vz，它们设计为在200mA电压正向Vf最大值为1.5V的情况下工作。如果数据表注释中显示了公差，公差为±5%，提供了供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500mW，以及切割胶带（CT）替代包装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，该设备为通孔安装型，该设备具有170欧姆的阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@46V。
1N5264B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括100nA@46V电流反向泄漏Vr，设计用于1400 Ohm阻抗最大Zzt的工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为175°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可作为500mW最大功率使用。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备在DO-35供应商设备包中提供，该设备具有±5%的容差，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为60V。
