9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5260B-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5260B-TAP价格参考$0.02376。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5260B-TAP封装/规格：DIODE ZENER 43V 500MW DO35。您可以下载1N5260B-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N5260B-T是DIODE ZENER 500MW DO35，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于带卷（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度范围为175°C，安装类型设计用于通孔，以及DO-35供应商设备包，该装置也可用作±5%公差。此外，最大功率为500mW，该器件提供43V电压齐纳标称Vz，该器件具有900欧姆阻抗最大Zzt，电流反向泄漏Vr为100nA@33V，电压正向Vf最大If为1.1V@200mA。
1N5260BDO35E3是DIODE ZENER 43V 500MW DO35，包括43V电压齐纳标称Vz，它们设计为在200mA电压正向Vf最大值为1.5V的情况下工作。如果数据表备注中显示了公差，公差为±5%，提供供应商设备包功能，如DO-35，功率最大值设计为500MW，以及切割带（CT）封装，该设备也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，该设备为通孔安装型，该设备的阻抗最大值为93欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@33V。
带电路图的1N5260BTA，包括100nA@31V电流反向泄漏Vr，设计用于93 Ohm阻抗最大Zzt的操作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，工作温度范围为200°C，包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带和卷轴（TR）包装，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，供应商设备包为DO-35，该设备的容差为±5%，该设备具有1.1V@200mA的正向电压Vf Max If，电压齐纳标称Vz为43V。
