9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MMSZ5257C-E3-08，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMSZ5257C-E3-08参考价格为0.35000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MMSZ5257C-E3-08封装/规格：DIODE ZENER 33V 500MW SOD123。您可以下载MMSZ5257C-E3-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MMSZ5257B-TP是DIODE ZENER 33V 500MW SOD123，包括MMSZ525系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001058盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1.2毫米，长度为2.85毫米，设备也可用于1.8毫米宽。此外，包装箱为SOD-123，其工作温度范围为-55°C~150°C，设备为安装型表面安装，供应商设备包装为SOD-13，配置为单一，公差为±5%，功率最大值为500mW，电压齐纳标称Vz为33V，阻抗最大值Zzt为58欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@25V，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为33 V，电压容差为5%，电压温度系数为0.092%/C，Zz齐纳阻抗为58欧姆，Ir反向电流为100 nA。
MMSZ5257BT1G是DIODE ZENER 33V 500MW SOD123，包括58欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于10mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.6mm，提供Vz齐纳电压特性，如33V，电压齐纳标称Vz设计用于33V，以及5%电压容差，该设备也可以用作900mV@10mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.001058 oz，该设备的公差为±5%，该设备具有供应商设备包的SOD-123，系列为MMSZ52，功率最大值为500mW，Pd功耗为500 mW，包装为Digi-ReelR替代包装，包装箱为SOD-123，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C、长度2.69 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大Zzt为58 Ohm，高度1.12 mm，并且电流反向泄漏Vr为100nA@25V，并且配置为单一。
MMSZ5257BS-7-F是DIODE ZENER 33V 200MW SOD323，包括单一配置，设计用于100nA@25V电流反向泄漏Vr，高度如数据表注释所示，用于1mm，提供阻抗最大Zzt特性，如58欧姆，Ir反向电流设计用于100mA，长度为1.8 mm，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，该器件为表面安装安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，工作温度范围在-65℃~150℃之间，封装外壳为SC-76、SOD-323，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为200 mW，最大功率为200mW，系列为MMSZ525，供应商设备封装为SOD-323，容差为±5%，单位重量为0.000173 oz，正向电压Vf Max If为900mV@10mA，电压容差为5%，电压齐纳标称Vz为33V，Vz齐纳电压为33V、宽度为1.4 mm，Zz齐纳阻抗为58欧姆。
MMSZ5257BT1是DIODE ZENER 33V 500MW SOD123，包括表面安装型，它们设计用于SOD-123封装盒，供应商设备封装如SOD-123中使用的数据表注释所示，提供切割胶带（CT）、电压正向Vf Max If等封装功能，设计用于900mV@10mA，以及58欧姆阻抗最大Zzt，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，最大功率为500mW，该器件提供33V电压齐纳标称Vz，该器件具有100nA@25V电流反向泄漏Vr，公差为±5%。
