9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZX84C39-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZX84C39-E3-18参考价格$0.03179。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZX84C39-E3-18封装/规格：DIODE ZENER 39V 300MW SOT23-3。您可以下载BZX84C39-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZX84C33-7-F是DIODE ZENER 33V 300MW SOT23-3，包括BZX84C33系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为1毫米，长度为2.9毫米，设备也可以用作1.3毫米宽。此外，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，其工作温度范围为-65°C~150°C，设备为安装型表面安装，供应商设备包装为SOT-23-2，配置为单一，公差为±6%，最大功率为300mW，电压齐纳标称Vz为33V，阻抗最大Zzt为80欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@23.1V，电压正向Vf Max If为900mV@10mA，Pd功耗为350mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为33 V，电压容差为6%，电压温度系数为30.4 mV/C，齐纳电流为2 mA，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为100nA。
BZX84C33-E3-08带用户指南，包括80欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于33 V Vz齐纳电压，数据表中显示了用于33 V的电压齐纳标称Vz，提供5%的电压容差特性，电压温度系数设计用于1 mV/C，以及0.000310盎司的单位重量，该装置也可用作±5%公差。此外，供应商设备包装为SOT-23-3，该设备为AEC-Q101系列汽车产品，该设备具有小信号齐纳二极管产品，最大功率为300mW，Pd功耗为300mW；包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为TO-236-3、SC-59、SOT-23-1，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为50 nA，阻抗最大值Zzt为80 Ohm，电流反向泄漏Vr为50 nA@23.1V，配置为单一。
BZX84C33-7-F-89，电路图由DIODES制造。BZX84C33-7-F-89采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
