9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BZD27C110P-M3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BZD27C110P-M3-18参考价格为0.51000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BZD27C110P-M3-18封装/规格：DIODE ZENER 110V 800MW DO219AB。您可以下载BZD27C110P-M3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BZD27C110P-E3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.005291盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及1.08 mm高度，该装置也可以用作2.9mm长度。此外，宽度为1.9 mm，该设备采用DO-219AB封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C，安装类型为表面安装，供应商设备封装为DO-219A B（SMF），配置为单一，最大功率为800mW，电压齐纳标称Vz为110V，阻抗最大Zzt为250欧姆，电流反向泄漏Vr为1μA@82V，Pd功耗为800 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.2 V，Vz齐纳电压为110 V，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为1 uA。
BZD27C110P-E3-18带用户指南，包括110V电压齐纳标称Vz，它们设计用于DO-219AB（SMF）供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于汽车AEC-Q101，提供功率最大功能，如800mW，包装设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装，以及DO-219A B包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该设备提供250欧姆阻抗最大Zzt，该设备具有1μa@82V电流反向泄漏Vr。
BZD27C110P-E-08，带有VISHAY制造的电路图。BZD27C110P-E-08采用SOD123封装，是IC芯片的一部分。
BZD27C110P-GS08，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。BZD27C110P-GS08采用DO-219AB封装，是IC芯片的一部分。
